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德州仪器双充电器维修店德州仪器入局氮化镓

2024-08-14 来源:无优资讯

前言氮化镓芯片作为一种宽禁带半导体材料,具有高频率、高效率和高功率密度等优点,被广泛应用于大功率电子设备中。与传统的硅材料相比,氮化镓具有更高的电子饱和速度和击穿电场强度,因此更适合于高频率、大功率的应用场景。此外,氮化镓芯片还具有低导通电阻、低寄生效应和高温稳定性等特点,能够进一步提高电力电子设备的性能和可靠性。

现如今,氮化镓已被广泛应用在充电器产品中,大幅提升了我们日常的充电体验。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻,更快的开关速度,可以有效降低发热,提升整机效率。

充电头网通过对智融的一款100W氮化镓快充方案的拆解,发现其中采用了德州仪器生产的一款GaN FET。这一发现揭示了德州仪器的GaN FET已经成功地应用于氮化镓快充适配器的设计中,接下来将会对德州仪器的这一款GaN 功率 FET进行一个详细讲解。

LMG3622LMG3622 是德州仪器推出的一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3622通过在8mmx5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。

LMG3622具备低静态电流和快速启动时间,支持转换器在轻负载条件下的高效率要求和突发模式运行。AUX静态电流为240μA,AUX待机静态电流仅为50μA,这意味着即使在待机模式下,器件也能保持低功耗状态,可以有效延长电池寿命、提高系统效率并减少能源浪费。

LMG3622的可编程导通压摆率提供了对电磁干扰(EMI)和振铃的有效控制,通过采用电流检测仿真技术,LMG3622相较于传统的电流检测电阻,能够显著降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到冷却PCB的电源地,进一步提高了系统的效率和稳定性。

为了保护系统安全,该器件还集成了多种保护特性,包括欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护功能通过开漏FLT引脚实时报告,有效防止了器件过载而导致的损坏。

关于德州仪器(TI)德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)是一家全球化的半导体公司,致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片,用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,创造一个更美好的世界。如今,每一代创新都建立在上一代创新的基础之上,使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用,这就是工程的进步。这正是我们数十年来乃至现在一直在做的事。

充电头网总结LMG3622是德州仪器推出的650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。通过高效FET和栅极驱动器的集成,可有效简化设计、减少元件数量。LMG3622具有低静态电流和快速启动时间,支持高效轻载运行,可编程导通压摆率控制电磁干扰和振铃,有效降低功耗,提高系统稳定性。同时具备多种保护特性,包括欠压锁定和过热保护,确保系统安全运行。

得益于氮化镓快速开关的优势,有效提高了充电器的开关频率,减小变压器体积,并降低器件的散热需求,从而显著缩小了充电器的体积,使充电器具备更大的输出功率,更多的输出接口,深受消费者的喜爱。

氮化镓市场已趋近成熟,德州仪器的入局无疑将为我们带来更加高效的氮化镓器件。随着技术的不断进步和市场需求的增长,我们可以期待着更多创新和改进。德州仪器作为一家全球化的半导体公司,技术底蕴深厚,相信其将为电子产品领域的发展带来新的产品,为我们提供更优质、更可靠的解决方案,助力氮化镓技术的进步和创新。

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